原子层沉积系统
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13/人使用者
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148/次机时次数
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2450/小时总时长
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2/次送样次数
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28/人收藏者
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收费标准
机时120元/小时送样详见检测项目 -
设备型号
TALD-150 -
当前状态
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管理员
凌海峰,明建宇 -
放置地点
仙林校区材料院国家重点实验室158
- 仪器信息
- 预约资源
- 检测项目
- 附件下载
- 公告
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名称
原子层沉积系统
资产编号
00118037
型号
TALD-150
规格
产地
厂家
嘉兴科民电子设备技术有限公司
所属品牌
出产日期
购买日期
2021-04-20
所属单位
材料与化学实验教学中心
使用性质
科研
所属分类
微纳电子中心
资产负责人
凌海峰
联系电话
联系邮箱
放置地点
仙林校区材料院国家重点实验室158
- 主要规格&技术指标
- 主要功能及特色
主要规格&技术指标
设备主要规格：TALD-150D-4 原子层沉积机，包 含： 1. 内外双腔结构，内腔可拆卸，标配 2 套内腔； 2. 反应温度最高 500℃ 3. 最大可放置直径 6 寸样品，兼容小 尺寸样品； 4. 4 路液态前驱体源系统 5. 预留 1 路氨气接口 6. 高性能真空泵系统 7. PLC+工控机沉积自动控制系统 8. 沉积自动控制软件系统 9. 外挂式触控屏 10. 独立电气柜
反应腔体结构技术指标：TALD-DL 主机，整机结构模块化设计，方便维护。包含：
1）腔室：采用 KM-LP 半导体工业标准设计，独立的内外双腔结构，真空漏率＜5×10-7 Pa·L/S；
2）外腔：真空加热腔体，对整个内腔进行加热，外层设置有水冷循环装置；内侧设有多层热反射装置，保证内腔温度；
3）内腔：可拆卸微型反应腔。需要维护时，可直接将整个内腔取下更换维护。压差自压合机构可使内腔腔盖与内腔腔体压自动密封；
4）最大可放置直径 6 寸样品，兼容小尺寸样品；
5）反应温度：最高 500℃，温度控制精度±1℃；
前驱体源系统技术指标：1）3 路标准加热液态前驱体源，配置 swagelok 高温快速 ALD阀（响应时间＜10ms）、手动阀、50ml 不锈钢源瓶，源瓶及管路加热温度 RT-200℃，控制精度±1℃；
2）1 路常温源，配置 swagelok 快速 ALD 阀（响应时间＜10ms）、手动阀、50ml 不锈钢源瓶；
3）含两路载气系统，swagelok 管路+VCR 密封，前驱体源管路具有在线清洗功能；
真空系统技术指标：高性能真空系统，整机极限真空＜5×10-3Torr，真空漏率＜5×10-7 Pa·L/S 包含：
1）高性能真空泵，额定抽速＞16 m³/h；
2）真空泵前级配置热阱，加热温度最高500℃，控制精度±1℃，用于吸附、分解未反应的前驱体源；
3）进口压力传感器（真空计），测量范围 5×10-5Torr-大气压，精度满量程的±1%；
4）真空计前设有保护真空计的高效过滤网以及气动隔膜阀；
控制系统技术指标：1）高精度 PLC+工控机沉积自动控制系统，满足高精度 ALD沉积需求
2）图像化的操作界面，实时显示系统各部分运行状态，可方便的调节温度、流量、脉冲时间等参数；
3）多用户权限分配，软硬件互锁，异常报警、紧急停机等功能确保安全性；
4）沉积模式：连续模式、停流模式；
5）人机界面：外挂式触摸屏，可自由选择悬停位置；
反应腔体结构技术指标：TALD-DL 主机，整机结构模块化设计，方便维护。包含：
1）腔室：采用 KM-LP 半导体工业标准设计，独立的内外双腔结构，真空漏率＜5×10-7 Pa·L/S；
2）外腔：真空加热腔体，对整个内腔进行加热，外层设置有水冷循环装置；内侧设有多层热反射装置，保证内腔温度；
3）内腔：可拆卸微型反应腔。需要维护时，可直接将整个内腔取下更换维护。压差自压合机构可使内腔腔盖与内腔腔体压自动密封；
4）最大可放置直径 6 寸样品，兼容小尺寸样品；
5）反应温度：最高 500℃，温度控制精度±1℃；
前驱体源系统技术指标：1）3 路标准加热液态前驱体源，配置 swagelok 高温快速 ALD阀（响应时间＜10ms）、手动阀、50ml 不锈钢源瓶，源瓶及管路加热温度 RT-200℃，控制精度±1℃；
2）1 路常温源，配置 swagelok 快速 ALD 阀（响应时间＜10ms）、手动阀、50ml 不锈钢源瓶；
3）含两路载气系统，swagelok 管路+VCR 密封，前驱体源管路具有在线清洗功能；
真空系统技术指标：高性能真空系统，整机极限真空＜5×10-3Torr，真空漏率＜5×10-7 Pa·L/S 包含：
1）高性能真空泵，额定抽速＞16 m³/h；
2）真空泵前级配置热阱，加热温度最高500℃，控制精度±1℃，用于吸附、分解未反应的前驱体源；
3）进口压力传感器（真空计），测量范围 5×10-5Torr-大气压，精度满量程的±1%；
4）真空计前设有保护真空计的高效过滤网以及气动隔膜阀；
控制系统技术指标：1）高精度 PLC+工控机沉积自动控制系统，满足高精度 ALD沉积需求
2）图像化的操作界面，实时显示系统各部分运行状态，可方便的调节温度、流量、脉冲时间等参数；
3）多用户权限分配，软硬件互锁，异常报警、紧急停机等功能确保安全性；
4）沉积模式：连续模式、停流模式；
5）人机界面：外挂式触摸屏，可自由选择悬停位置；
主要功能及特色
设备主要功能：TALD是通过吸收衬底或腔室的热量激发前驱物发生化学反应，基于连续的气相表面反应，获得纳米级的、具有非常好的保型性和工艺可控性的单层或多层薄膜。TALD双腔原子层沉积系统具备均匀的加热和高精度的控制，采用加热辅助增强模式，可沉积多种超薄、高保形性、高台阶覆盖能力的高质量介质薄膜，包括金属氧化物和金属氮化物，如Al2O3、ZnO、HfO2和TiO2等，厚度可实现原子层的控制。
设备特色：1、可用工艺范围宽：反应温度高（最高500℃）； 2、可维护性好，适用性强：多种内腔可拆卸更换（不锈钢、铝、石英、石墨包蓝宝石），； 3、工艺时间短：单cycle最短4S（以氧化铝为例）； 4、设备质量可靠，工艺稳定性好：同类设备可连续生长薄膜6个月以上，工艺 200,000cycle，120um；
设备特色：1、可用工艺范围宽：反应温度高（最高500℃）； 2、可维护性好，适用性强：多种内腔可拆卸更换（不锈钢、铝、石英、石墨包蓝宝石），； 3、工艺时间短：单cycle最短4S（以氧化铝为例）； 4、设备质量可靠，工艺稳定性好：同类设备可连续生长薄膜6个月以上，工艺 200,000cycle，120um；
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